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| Artikel-Nr.: 3794E-1827286 Herst.-Nr.: DMP1009UFDF-7 EAN/GTIN: 5059045310716 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = U-DFN2020 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V Verlustleistung max. = 2 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±8 V Breite = 2.05mm Höhe = 0.58mm
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe Leiterplattenmaß von 4 mm² Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Anwendungen Batterieüberwachungsanwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Breite: | 2.05mm | Höhe: | 0.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 11a mosfet, 1827286, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMP1009UFDF7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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