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| Artikel-Nr.:
3794E-1827372 Herst.-Nr.:
DMTH10H025SK3-13 EAN/GTIN:
5059045296270 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 21,4 nC @ 10V
Höhe = 2.26mm
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen Niedriger RDS(ON) – minimiert Leistungsverluste Niedrige QG – minimiert Schaltverluste Bleifreie Oberfläche halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Hinterleuchtung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 46,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 21,4 nC @ 10V | Höhe: | 2.26mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1827372, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMTH10H025SK313, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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