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ROHM R6076KNZ4 R6076KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1835376
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6076KNZ4C13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 76 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 735 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 5.22mm
Serie = R6076KNZ4

Der R6076KNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Parallele Nutzung ist einfach Pb-frei Beschichtung
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
76 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
42 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
735 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
5.22mm
Serie:
R6076KNZ4
Weitere Suchbegriffe: 1835376, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6076KNZ4C13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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