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onsemi MJF45H11G THT, PNP Transistor –80 V / -10 A 20 MHz, TO-220 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1840971
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJF45H11G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor pnp
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 36 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.63 x 4.9 x 16.12mm

Der bipolare Leistungstransistor wurde für die allgemeine Leistungsverstärkung und das Schalten wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern entwickelt.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung --VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A Hohe Schaltgeschwindigkeiten Komplementäre Paare vereinfachen Designs
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
-10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–80 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
36 W
Gleichstromverstärkung min.:
60
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
20 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1840971, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJF45H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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Art
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ABL Heatsinks
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1.25GY-50
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WAKEFIELD THERMAL 647-10-ABEP KÜHLKÖRPER, TO-220, 3.8°C/W
WAKEFIELD THERMAL
647-10-ABEP
ab CHF 1.91*
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