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| Artikel-Nr.:
3794E-1840973 Herst.-Nr.:
MJH11020G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V
Gehäusegröße = TO-218
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 200 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.2 x 4.9 x 20.35mm
Der bipolare Darlington-Leistungstransistor wurde für den Einsatz als Universalverstärker, Niederfrequenzschaltung und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt.Hohe Gleichstromverstärkung bei 10 ADC - HFE = 400 Min. (Alle Typen) Kollektor-Emitter-Haltespannung VCEO(sus) = 150 V dc (Min.) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 V dc (Min.) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 V dc (Min.) - MJH11022, 21 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (typ.) @ IC = 5,0 A. VCE(sat) = 1,8 V (typ.) @ IC = 10 A. Monolithische Bauweise Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-218 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 200 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 15.2 x 4.9 x 20.35mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1840973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJH11020G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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