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onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V dc 10 A (durchgehend), 15 A (Spitze) HFE:20, TO-218 3-Pin Einfach


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1841113
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     TIP33CG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A (durchgehend), 15 A (Spitze)
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-218
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 20
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V dc
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.7mA
Höhe = 20.35mm

Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen entwickelt10 A Kollektorstrom Niedriger Leckstrom - ICEO = 0,7 mA @ 60 V Ausgezeichnete DC-Verstärkung - hFE = 40 typ. @ 3,0 A. Produkt mit hoher Stromverstärkung - HFE = 3,0 min @ IC = 0,5 A, f = 1,0 MHz Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.:
10 A (durchgehend), 15 A (Spitze)
Kollektor-Emitter-Spannung:
100 V dc
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V dc
Gehäusegröße:
TO-218
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Gleichstromverstärkung min.:
20
Kollektor-Basis-Spannung max.:
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.:
4 V dc
Kollektor-Abschaltstrom max.:
0.7mA
Höhe:
20.35mm
Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1841113, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, TIP33CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs
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