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| Artikel-Nr.:
3794E-1841114 Herst.-Nr.:
TIP35CG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = SOT-93
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 125 W
Gleichstromverstärkung min. = 15
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –65 °C
Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen entwickelt. TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN), TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) sind ergänzende Geräte.25 A Kollektorstrom Niedriger Leckstrom ICEO = 1,0 mA bei 30 und 60 V Ausgezeichnete DC-Verstärkung hFE = 40 typ. @ 15 A Produkt mit hoher Stromverstärkung - Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-93 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 125 W | Gleichstromverstärkung min.: | 15 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1841114, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, TIP35CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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