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onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V dc 10 A (Spitze), 6 A (durchgehend) HFE:15, TO-220 3-Pin Einfach


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1841116
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     TIP42CG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = PNP
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A (Spitze), 6 A (durchgehend)
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 15
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,5 V dc
Kollektor-Abschaltstrom max. = 400µA
Länge = 10.53mm

Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen entwickelt. TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C (NPN) und TIP42, TIP42A, TIP42B, TIP42C (PNP) sind ergänzende Geräte.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,5 V (max.) @ IC = ADC Kollektor-Emitter-Haltespannung - VCEO(sus) = 60 V dc (min.) - TIP41A, TIP42A = 80 V dc (min.) - TIP41B, TIP42B = 100 V dc (min.) - TIP41C, TIP42C. Produkt fT mit hoher Stromverstärkung = 3 MHz (min.) @ IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Gehäuse Dies sind bleifreie Gehäuse
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.:
10 A (Spitze), 6 A (durchgehend)
Kollektor-Emitter-Spannung:
100 V dc
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V dc
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Gleichstromverstärkung min.:
15
Kollektor-Basis-Spannung max.:
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.:
1,5 V dc
Kollektor-Abschaltstrom max.:
400µA
Länge:
10.53mm
Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, leistungstransistor, onsemi transistor, 1841116, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, TIP42CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs
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