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onsemi MJH6287G THT, PNP Transistor –100 V / -40 A 1 MHz, TO-218 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1841193
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJH6287G
EAN/GTIN:
     5059045348764
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-218
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Der bipolare Darlington-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltmotorsteuerungsanwendungen entwickelt.Schaltregler Kollektor-Emitter-Spannung VCEV = 1000 V dc Umrichter Schnelle Ausschaltzeiten Magnete 80 ns Induktive Abfallzeit 100 C (typ.) Relaistreiber 120 ns Induktive Crossover-Zeit 100 C (T Motorsteuerungen 800 ns induktive Lagerzeit 100 C (T Ablenkungsschaltungen 100 C Leistung spezifiziert für: Reverse-Biased SOA mit induktiven Lastschaltzeiten mit induktiven Lasten Sättigungsspannungen Leckströme Erweiterte FBSOA-Klassifizierung mit ultraschnellen Gleichrichtern Extrem hohe RBSOA-Fähigkeit
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
-40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–100 V
Gehäusegröße:
TO-218
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
160 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
100 V
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
1 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, leistungstransistor, onsemi transistor, 1841193, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJH6287G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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