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onsemi NTE4153NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)


Menge:  Paket  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1841203
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTE4153NT1G
EAN/GTIN:
     5059045339489
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 915 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±6 V
Breite = 0.95mm
Höhe = 0.8mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
915 mA
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
950 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.1V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.45V
Verlustleistung max.:
300 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±6 V
Breite:
0.95mm
Höhe:
0.8mm
Weitere Suchbegriffe: 1841203, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTE4153NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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