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| Artikel-Nr.:
3794E-1844149 Herst.-Nr.:
2N5191G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 25
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 7.8 x 3 x 11.1mm
Die bipolaren Power 4 A, 80 V NPN-Transistoren sind für den Einsatz in Leistungsverstärkern und Schaltkreisen vorgesehen. Dieser Transistor verfügt über ausgezeichnete sichere Bereichsgrenzen und ist eine Ergänzung zu PNP 2N5194, 2N5195Diese Geräte sind pbfrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V dc | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 25 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 7.8 x 3 x 11.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1844149, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2N5191G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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