|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1844171 Herst.-Nr.:
BAS21SLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Diodenkonfiguration = Serie
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Sperrspannung max. = 250V
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Diodenkapazität max. = 5pF
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Länge = 3.04mm
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Verlustleistung = 300mW
Die Hochspannungs-Schaltdiode ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen ausgelegt. Dieses Doppeldiodengerät enthält zwei Hochspannungsschaltdioden in Serie, die in einem SOT-23-SMD-Gehäuse gekapselt sind.Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1 ESD-Einstufung - Menschmodell: Klasse 1, Maschinenmodell: Klasse B NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Serie | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Sperrspannung max.: | 250V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 5pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 3.04mm | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Verlustleistung: | 300mW |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1844171, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, BAS21SLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
| | |
| |