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| Artikel-Nr.:
3794E-1844188 Herst.-Nr.:
BDV64BG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-218
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.2 x 4.9 x 20.35mm
Der Bipolartransistor mit 10 A und 100 V NPN ist für den Einsatz als Ausgangsgeräte in komplementären Allzweck-Verstärkeranwendungen vorgesehen. Die BDV65B (NPN) und BDV64B (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung HFE = 1000 (min.) bei 5 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Sockel-Emitter-Shunt-Widerständen Diese Geräte sind in Pb-freien Paketen erhältlich. Die hier aufgeführten Spezifikationen gelten sowohl für Standard- als auch für Pb-freie Geräte Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –100 V | Gehäusegröße: | TO-218 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 15.2 x 4.9 x 20.35mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 1844188, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BDV64BG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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