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| Artikel-Nr.:
3794E-1844308 Herst.-Nr.:
MJ2955G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -70 V
Gehäusegröße = TO-204AA
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 115 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +200 °C
Der bipolare PNP-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltverstärkeranwendungen entwickelt. Die Modelle 2N3055 (NPN) und MJ2955 (PNP) sind komplementäre Geräte.DC-Stromverstärkung - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC = 4 Adc Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –15 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -70 V | Gehäusegröße: | TO-204AA | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 115 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +200 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1844308, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJ2955G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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