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| Artikel-Nr.:
3794E-1844313 Herst.-Nr.:
MJE15034G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 350 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 350 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Hochfrequenztreiber in Audioverstärkern konzipiert.Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt Compact Package TO-220 Diese Geräte sind pbfrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 350 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 350 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1844313, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE15034G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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