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onsemi MJF127G THT, PNP Transistor –100 V / –5 A 1 MHz, TO-220 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1844319
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJF127G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
IC Verstärker
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.63 x 4.9 x 16.12mm

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Verstärker und Schaltanwendungen konzipiert, bei denen die Montagefläche des Geräts vom Kühlkörper oder Gehäuse galvanisch getrennt werden muss.Elektrisch ähnlich wie bei den beliebten TIP122 und TIP127 100 VCEO(sus) 5 A Nennstrom des Kollektors Keine Trennscheiben erforderlich Geringere Systemkosten Hohe DC-Stromverstärkung 2000 (min.) bei IC = 3 Adc Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
–5 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–100 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
100 V dc
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V dc
Arbeitsfrequenz max.:
1 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, schalttransistor pnp, ic verstärker, onsemi transistor, 1844319, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJF127G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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Art
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WAKEFIELD THERMAL
647-10-ABEP
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