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| Artikel-Nr.:
3794E-1844881 Herst.-Nr.:
2N7000-D26Z EAN/GTIN:
5059045244264 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.19mm
Höhe = 5.33mm
Diese N-Kanal Small Signal MOSFETs werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semiconductor mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und bieten gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA DC benötigen, und können gepulste Ströme bis zu 2 A liefern Diese Produkte eignen sich besonders für Niederspannungsanwendungen.Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter Stromkapazität für hohe Sättigung Robust und zuverlässig Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON) Anwendungen Kleine Servomotor-Steuerung Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber Verschiedene Switching-Anwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.19mm | Höhe: | 5.33mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, 1844881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7000D26Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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