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| Artikel-Nr.:
3794E-1844894 Herst.-Nr.:
MJE200G EAN/GTIN:
5059045413356 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 15 W
Gleichstromverstärkung min. = 45
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 25 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 8 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für Anwendungen mit Niederspannungs-, Niederleistungs- und Hochgain-Audioverstärkern konzipiert. Die Modelle MjE200 (NPN) und MjE210 (PNP) sind komplementäre Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hoher Stromgewinn - Bandwidth Product Ringkonstruktion für geringe Leckage Diese Geräte sind pbfrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 15 W | Gleichstromverstärkung min.: | 45 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 25 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 8 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1844894, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE200G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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