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| Artikel-Nr.:
3794E-1851008 Herst.-Nr.:
RGTV00TS65GC11 EAN/GTIN:
5059045637080 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16 x 5 x 21mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
RGTV00TS65 ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für PFC-, Solarwechselrichter-, USV-, Schweißen-, IH-Anwendungen.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 95 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16 x 5 x 21mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1851008, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGTV00TS65GC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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