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| Artikel-Nr.: 3794E-1857696 Herst.-Nr.: NLFV32T-2R2M-EF EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Induktivität = 2,2 μH Gleichstrom max. = 500mA Gehäuse-Form = 1210 (3225M) Länge = 3.2mm Tiefe = 2.5mm Höhe = 2.2mm Abmessungen = 3.2 x 2.5 x 2.2mm Geschirmt = Ja Toleranz = ±20% Gleichstromwiderstand max. = 108mΩ Serie = NLFV-EF Kernmaterial = Ferrit Resonanzfrequenz max. = 2.52MHz Induktivitätsbauweise = Drahtgewickelt Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Induktivität: | 2,2 μH | Gleichstrom max.: | 500mA | Gehäuse-Form: | 1210 (3225M) | Länge: | 3.2mm | Tiefe: | 2.5mm | Höhe: | 2.2mm | Abmessungen: | 3.2 x 2.5 x 2.2mm | Geschirmt: | Ja | Toleranz: | ±20% | Gleichstromwiderstand max.: | 108mΩ | Serie: | NLFV-EF | Kernmaterial: | Ferrit | Resonanzfrequenz max.: | 2.52MHz | Induktivitätsbauweise: | Drahtgewickelt |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1857696, Passive Bauelemente, Induktivitäten, SMD-Induktivität, TDK, NLFV32T2R2MEF, Passive Components, Inductors, Surface Mount Inductors |
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