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| Artikel-Nr.: 3794E-1858956 Herst.-Nr.: FGAF40S65AQ EAN/GTIN: 5059045240839 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 15.7 x 5.7 x 24.7mm Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-3PF | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1858956, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGAF40S65AQ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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