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| Artikel-Nr.:
3794E-1859328 Herst.-Nr.:
NTBS2D7N06M7 EAN/GTIN:
5059045649908 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 176 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 9.65mm
Höhe = 4.58mm
Typischer RDS(on) = 2,2 m bei VGS = 10 V, ID = 80 A Typische Qg(tot) = 80 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A UIS-Funktionen Diese Geräte sind bleifrei Anwendungen Motorantrieb für Industrieanwendungen Industrielle Stromversorgung Industrielle Automatisierung Batteriebetriebene Werkzeuge Batterieschutz Solarwechselrichter USV- und Energie-Wechselrichter Energiespeicherung Lastschalter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 176 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 9.65mm | Höhe: | 4.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 1859328, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBS2D7N06M7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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