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| Artikel-Nr.:
3794E-1861322 Herst.-Nr.:
NTMTS001N06CLTXG EAN/GTIN:
5059045664390 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 398,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFNW8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,05 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 8mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 398,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFNW8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,05 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 8mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1861322, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMTS001N06CLTXG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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