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| Artikel-Nr.:
3794E-1861348 Herst.-Nr.:
NTMTS0D6N04CTXG EAN/GTIN:
5059045384557 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 533 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFNW8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 480 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 245 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 8mm
Höhe = 1.15mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 533 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFNW8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 480 μΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 245 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 8mm | Höhe: | 1.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1861348, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMTS0D6N04CTXG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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