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| Artikel-Nr.:
3794E-1861500 Herst.-Nr.:
NTB110N65S3HF EAN/GTIN:
5059045661863 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 240 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 240 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.3V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1861500, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTB110N65S3HF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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