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| Artikel-Nr.:
3794E-1867261 Herst.-Nr.:
FOD8342R2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage Typ = SMD
Ausgangsschaltung = IGBT, MOSFET
Durchlassspannung max. = 1.8V
Anzahl der Kanäle = 1
Anzahl der Pins = 6
Gehäusetyp = SOIC
Regelanstiegszeit = 38ns
Eingangsstrom max. = 10 mA
Isolationsspannung = 5 kV eff
Logik Ausgang = Ja
Fallzeit typ. = 24ns
FOD8342T - 8 mm Kriech- und Sicherheitsabstand und 0,4 mm Isolationsabstand zur Erreichung einer zuverlässigen Hochspannungsisolierung 3.0 A Peak Output Current Driving Capability für Medium-Power IGBT/MOSFET - Verwendung von P-Kanal MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene 20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V. Schnelle Schaltgeschwindigkeit über vollen Betriebstemperaturbereich - 210 ns Maximale Ausbreitungsverzögerung - 65 ns Maximale Pulsweitenverzerrung Unterspannungs-Sperre (UVLO) mit Hysterese Erweiterter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 100 °C. Anwendungen Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe Industrieller Wechselrichter Unterbrechungsfreie Stromversorgung Induktionsheizung Isolierter IGBT/Power MOSFET Gate-Antrieb Weitere Informationen: | | Montage Typ: | SMD | Ausgangsschaltung: | IGBT, MOSFET | Durchlassspannung max.: | 1.8V | Anzahl der Kanäle: | 1 | Anzahl der Pins: | 6 | Gehäusetyp: | SOIC | Regelanstiegszeit: | 38ns | Eingangsstrom max.: | 10 mA | Isolationsspannung: | 5 kV eff | Logik Ausgang: | Ja | Fallzeit typ.: | 24ns |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, igbt, 1867261, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, onsemi, FOD8342R2, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Optocouplers |
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