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| Artikel-Nr.:
3794E-1867378 Herst.-Nr.:
FDA59N30 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 500 W
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
UniFETTM MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Familie, die auf planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Verbesserung der Schaltleistung und der Lawinenenergie ausgelegt. Diese Gerätefamilie eignet sich zum Schalten von Stromwandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD) TV-Leistung, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.RDS(on) = 56 mΩ ( Max.) @ VGS = 10 V, ID = 29,5 A Niedrige Gatterladung ( Typ. 77 nC) Niedrige Crss (Typ. 80 pF) Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 500 W | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet to-3p, 1867378, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDA59N30, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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