|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1867387 Herst.-Nr.:
FDP075N15A-F102 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 333 W
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltresistenz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde.RDS(on) = 6,25 mΩ ( typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A Fast Switching Niedrige Gatterladung, QG = 77 nC (typ.) Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on) Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit Anwendungen AC-DC-Netzteil für Händler AC-DC-Netzteil für Händler - Server und Workstations AC-DC-Netzteil für Händler - Desktop-PC Unterbrechungsfreie Stromversorgung Synchrone Rektifizierung für ATX/Server/Telecom PSU Batterieschutzschaltung Motorantriebe Unterbrechungsfreie Stromversorgung Micro Solar Wechselrichter Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 333 W | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1867387, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDP075N15AF102, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |