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| Artikel-Nr.:
3794E-1867418 Herst.-Nr.:
MJH11019G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = -200 V
Gehäusegröße = SOT-93
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.2 x 4.9 x 20.35mm
Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Universalverstärker, Niederspannungs-Schalttechnik und Motorsteuerungsanwendungen konzipiert. Die Modelle MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung bei 10 Adc - hFE = 400 Min. (Alle Typen) Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (min.) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (min.) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (min.) - MJH11022, 21 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A VCE(sat) = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A. Monolithische Konstruktion Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | -200 V | Gehäusegröße: | SOT-93 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 15.2 x 4.9 x 20.35mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, schalttransistor pnp, leistungstransistor, onsemi transistor, 1867418, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJH11019G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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