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| Artikel-Nr.:
3794E-1867901 Herst.-Nr.:
BD244CG EAN/GTIN:
5059045739272 |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 65 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der bipolare 100-V-PNP-Leistungstransistor mit 6 A ist für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. BD243B, BD243C (NPN), BD244B, BD244C (PNP) sind ergänzende Geräte.Kollektor - Sättigung des Strahlers - VCE(sat) = 1,5 Vdc (max.) bei IC = 6,0 Adc Kollektor-Emitter-Haltespannung - VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BD243C, BD244C. High Current Gain Bandwidth Produkt fT = 3,0 MHz (min.) bei IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Paket Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 65 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, ic verstärker, onsemi transistor, 1867901, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BD244CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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