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| Artikel-Nr.:
3794E-1867976 Herst.-Nr.:
MJE5730G EAN/GTIN:
5059045765073 |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltmodustreiber und andere Schaltanwendungen ausgelegt.300 V bis 400 V (min.) - VCEO(sus) 1,0 A Nennstrom des Kollektors Beliebtes TO-220 Kunststoffgehäuse PNP-Ergänzungen zur Serie TIP47 bis TIP50 Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –300 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, 1867976, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE5730G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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