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| Artikel-Nr.:
3794E-1868073 Herst.-Nr.:
FJI5603DTU EAN/GTIN:
5059045735274 |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 800 V
Gehäusegröße = TO-262
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 100 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 12 V
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.29 x 4.83 x 9.65mm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-262 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 100 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 12 V | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.29 x 4.83 x 9.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1868073, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FJI5603DTU, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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