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| Artikel-Nr.:
3794E-1884859 Herst.-Nr.:
SiA471DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 30,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SC-70
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 19,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +16 V
Breite = 2.15mm
Höhe = 0.75mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 30,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SC-70 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 24 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 19,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +16 V | Breite: | 2.15mm | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, 1884859, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiA471DJT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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