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Vishay SIHA100N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1884870
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHA100N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 15.3mm

Leistungs-MOSFET der Serie E.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
100 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
35 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
4.7mm
Höhe:
15.3mm
Weitere Suchbegriffe: 1884870, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHA100N60EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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