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| Artikel-Nr.: 3794E-1884888 Herst.-Nr.: SiS128LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33,7 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 20,3 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 39 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 1.07mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 39 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1884888, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS128LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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