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Vishay SISF02DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 60 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-1884890
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISF02DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8SCD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 69,4 W
Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +16 V
Breite = 3.4mm
Höhe = 0.75mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
60 A
Drain-Source-Spannung max.:
25 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8SCD
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
5 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
69,4 W
Transistor-Konfiguration:
Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max.:
-12 V, +16 V
Breite:
3.4mm
Höhe:
0.75mm
Weitere Suchbegriffe: 1884890, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISF02DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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