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| Artikel-Nr.:
3794E-1884996 Herst.-Nr.:
SIHP22N60EF-GE3 EAN/GTIN:
5059045737841 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 182 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 179 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.65mm
Höhe = 9.01mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 19 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 182 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 179 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.65mm | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1884996, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP22N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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