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| Artikel-Nr.:
3794E-1885022 Herst.-Nr.:
SQM50034E_GE3 EAN/GTIN:
5059045737070 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 9.65mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V
KFZ-N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S), 175 °C.TrenchFET® Leistungs-MOSFET Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 9.65mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1885022, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQM50034E_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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