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| Artikel-Nr.:
3794E-1885029 Herst.-Nr.:
SQ1922AEEH-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045813767 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 850 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 530 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 1,5 W
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 850 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 530 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885029, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ1922AEEHT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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