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| Artikel-Nr.:
3794E-1885107 Herst.-Nr.:
SUM60020E-GE3 EAN/GTIN:
5059045757351 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® Leistungs-MOSFET Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch das Durchlaufen von Vplateaus Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 150 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1885107, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUM60020EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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