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| Artikel-Nr.:
3794E-1885126 Herst.-Nr.:
SUP40012EL-GE3 EAN/GTIN:
5059045811527 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.65mm
Höhe = 9.01mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 150 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.65mm | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1885126, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUP40012ELGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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