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STMicroelectronics STD11N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-1888285

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STD11N60DM2

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 420 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 4V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.17mm

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der Serie MDmesh TM DM2 mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt Anwendungen Schaltanwendungen

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	10 A
Gehäusegröße:	DPAK (TO-252)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	420 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	4V
Verlustleistung max.:	110 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	±25 V
Breite:	6.2mm
Höhe:	2.17mm

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, stm mosfet, 1888285, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD11N60DM2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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