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STMicroelectronics STD5N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET / 4 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1888289
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD5N80K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,73 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 6.2mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit MDmesh K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.Branchenweit niedrigster RDS(on) x-Bereich Branchenweit bester FoM (Leistungszahl) Extrem niedrige Gate-Ladung Zenerdioden-geschützt Anwendungen Schaltanwendungen
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
4 A
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1,73 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
60 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
6.2mm
Diodendurchschlagsspannung:
1.5V
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 1888289, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD5N80K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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