onsemi NTHL190N65S3HF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 162 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.82mm

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.700 V bei TJ = 150 °C Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 35 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 467 pF) Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse) Optimierte Kapazität Typ. RDS(on) = 161 mΩ Vorteile Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Geringere Schaltverluste Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Anwendungen Telekommunikation Cloud-System Industriell Endprodukte Stromversorgung Telekommunikation Stromversorgung Server EV-Ladegerät Solar/UPS