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onsemi NVHL080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1890265
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVHL080N120SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 162 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 348 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 20.82mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
44 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
162 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.8V
Verlustleistung max.:
348 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-15 V, +25 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Höhe:
20.82mm
Weitere Suchbegriffe: 1890265, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVHL080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Zubehör
onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 7,1 A, 7,8 A 5V 16-Pin SOIC 15ns
onsemi
NCD57001DWR2G
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