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| Artikel-Nr.:
3794E-1890419 Herst.-Nr.:
NVHL080N120SC1 EAN/GTIN:
5059045836377 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 162 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 348 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +25 V
Breite = 4.82mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.1200 V Nennspannung Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität Geräte sind bleifrei Anwendungen PFC OBC Endprodukte KFZ-DC/DC-Wandler für EV/PHEV Kfz-On-Board-Ladegerät Kfz-Hilfsmotorantrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 162 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 348 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +25 V | Breite: | 4.82mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1890419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVHL080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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