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| Artikel-Nr.:
3794E-1890476 Herst.-Nr.:
FGHL50T65SQ EAN/GTIN:
5059045822905 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Verwendung der neuartigen Feldstopp-IGBT-Technologie der 4. Generation. FGHL50T65SQ ist ein einzelner IGBT. Dieser IGBT bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsverlust und Schaltverlust für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 50 A Hochgeschwindigkeitsschalten Geringer Saugverlust Geringe Schaltverluste Anwendungen PFC Endprodukte Stromversorgung Klimaanlage Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1890476, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGHL50T65SQ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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