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onsemi THT Optokoppler DC-In / IGBT, MOSFET-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 5000 V eff (Minimum)


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1890515
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FOD3125
EAN/GTIN:
     5059045823230
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Optokoppler
Montage Typ = THT
Ausgangsschaltung = IGBT, MOSFET
Durchlassspannung max. = 1.8V
Anzahl der Kanäle = 1
Anzahl der Pins = 8
Gehäusetyp = PDIP
Eingangsstrom Typ = DC
Regelanstiegszeit = 60ns
Eingangsstrom max. = 16 mA
Isolationsspannung = 5000 V eff (Minimum)
Logik Ausgang = Ja
Fallzeit typ. = 60ns

Der FOD3125 ist ein 2,5-A-Ausgangsstrom-Gate-Drive-Optokoppler, der die meisten IGBT/MOSFET mit mittlerer Leistung bei hohen Temperaturen bis 125 °C betreiben kann Er eignet sich ideal für das schnelle Schalten von Leistungs-IGBT- und MOSFETs, die in Motorsteuerungs-Wechselrichteranwendungen und Hochleistungsleistungssystemen verwendet werden. Es nutzt die koplanare Verpackungstechnologie von ON Semiconductor, Optoplanar ®, und das optimierte IC-Design, um eine hohe Störfestigkeit zu erreichen, die durch eine hohe Gleichtaktunterdrückung gekennzeichnet ist. Er besteht aus einer Gallium-Aluminium-Arsenid-(AlGaAs)-Leuchtdiode, die optisch mit einem integrierten Schaltkreis mit einem Hochgeschwindigkeits-Treiber für Push-Pull-MOSFET-Ausgangsstufe gekoppelt ist.Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C. Hohe Störfestigkeit, charakterisiert durch 35 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung 2,5 A Peak Ausgangsstrom-Ansteuerbarkeit für die meisten 1200 V/20 A IGBT Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe der Versorgungsschiene Schnelle Schaltgeschwindigkeit Großer Versorgungsspannungsbereich von 15 V bis 30 V. Schnelle Schaltgeschwindigkeit Max. 400 ns Laufzeit 100 ns max Pulsbreitenverzerrung Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese Anwendungen Industrieller Wechselrichter Unterbrechungsfreie Stromversorgung Induktionsheizung Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
Weitere Informationen:
Montage Typ:
THT
Ausgangsschaltung:
IGBT, MOSFET
Durchlassspannung max.:
1.8V
Anzahl der Kanäle:
1
Anzahl der Pins:
8
Gehäusetyp:
PDIP
Eingangsstrom Typ:
DC
Regelanstiegszeit:
60ns
Eingangsstrom max.:
16 mA
Isolationsspannung:
5000 V eff (Minimum)
Logik Ausgang:
Ja
Fallzeit typ.:
60ns
Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, igbt, 1890515, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, onsemi, FOD3125, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Optocouplers
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