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| Artikel-Nr.:
3794E-1923490 Herst.-Nr.:
C3M0016120K EAN/GTIN:
5059045389729 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 556 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -8 V, 19 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 23.6mm
Branchenweit führender 16 mΩ RDS(on) 1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C] +15 V Gate-Ansteuerspannung Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift >8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben Anwendungen Solar- und Energiespeichersysteme Laden von Elektrofahrzeugen Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) Motorsteuerung und Antriebe Schaltnetzteile (SMPS) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 115 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.6V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 556 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -8 V, 19 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 23.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1923490, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0016120K, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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