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| Artikel-Nr.:
3794E-1923492 Herst.-Nr.:
C3M0120090J EAN/GTIN:
5059045430940 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, 18 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 4.57mm
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsgerätetechnologie vor: Die branchenweit erste 900-V-MOSFET-Plattform. Die neue 900-V-Plattform wurde für Hochfrequenz-Leistungselektronikanwendungen wie Wechselrichter für erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und dreiphasige industrielle Netzteile optimiert und ermöglicht kleinere und effizientere Stromwandlungssysteme der nächsten Generation zu gleichen Kosten wie siliziumbasierte Lösungen.Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringen Kapazitäten Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein) Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | TO-263-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, 18 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.57mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1923492, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0120090J, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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